[发明专利]顶发射型量子点发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810949121.9 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN110854278A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 苏亮;谢相伟;眭俊;黄航;田亚蒙 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电器件技术领域，具体提供一种顶发射型量子点发光二极管及其制备方法。所述顶发射型量子点发光二极管，包括顶电极，所述顶电极包括具有导电和透光功能的第一亚顶电极，以及层叠叠设于所述第一亚顶电极表面具有电接触功能的第二亚顶电极；所述第一亚顶电极、第二亚顶电极的层叠顺序为顺着光射出的方向层叠。本发明的顶发射型量子点发光二极管将顶电极分成两个亚层结构，使得顶电极的透光率达到75％以上，同时兼具良好的导电性能，因此获得的顶发射型量子点发光二极管特别适用于平板显示、照明领域。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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