[发明专利]一种GPP芯片的制作工艺

摘要

一种GPP芯片的制作工艺。涉及芯片加工领域，尤其涉及一种GPP芯片的制作工艺。提供了一种既可有效避免切割隐裂，增加台面可用面积，又能提升PN结处洁净度的新型玻璃包裹及钝化工艺，进而提高二极管产品可靠性的GPP芯片的制作工艺。本发明在工作中，将刀刮与PG工艺相结合，在刀刮后、玻璃熔融前增加一道光刻工艺，使填满玻璃粉的沟槽底部玻璃粉被去除，然后进行烧结、玻璃熔融等后续工艺。本发明方便操作，提升了产品品质。

主权项

1.一种GPP芯片的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、扩散；在晶片表面沉积一层磷和硼，形成P+‑N‑N+结构；S2、选择性光刻；将晶片区域化成晶粒，并在晶粒表面将待蚀刻的区域暴露出来，其它区域用光阻剂保护；S3、沟槽蚀刻；对晶粒表面暴露出来的区域进行蚀刻；S4、刀刮；S4.1、旋涂玻璃浆；采用旋涂的方式将玻璃粉涂在晶片表面，用美工刀或硬质塑料刮刀沿晶粒对角方向进行浆料刮涂；S4.2、烘烤；在烘烤平台上烘烤后，在烧结炉口烘烤；S4.3、表面玻璃粉擦拭；使用无尘布沿晶粒对角方向擦拭，将晶片表面玻璃粉擦拭干净；S5、去除台面及沟槽底部玻璃粉；采用旋涂的方法在晶片表面旋涂一层光刻胶，然后选择性光刻，在显影时去除台面及沟槽底部光阻剂及玻璃粉；S6、烧结及玻璃熔融；通过烧结将玻璃粉表面的光阻剂排除；S7、电极面氧化膜去除；通过光刻的方法将晶粒台面氧化膜去除，为后续金属化做准备；S8、金属化：在晶片表面镀一层电极金属，加工完毕。