[发明专利]半导体装置及控制装置在审
| 申请号： | 201810958970.0 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110289306A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 小林研也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式一般涉及半导体装置及控制装置。根据一个实施方式，半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、导电部、栅极电极及控制装置。控制装置进行第1动作、第2动作、第3动作及第4动作。在第1动作中，使导电部的电位从第1电位变化为高于第1电位的第2电位。在第2动作中，使栅极电极的电位从第3电位变化为高于第3电位的第4电位。在第1动作及第2动作之后的第3动作中，使栅极电极的电位从第4电位变化为第3电位。在第3动作之后的第4动作中，使导电部的电位从第2电位变化为第1电位。 | ||
| 搜索关键词： | 电位 电位变化 控制装置 半导体区域 半导体装置 栅极电极 导电部 导电型 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备半导体元件和控制装置，该半导体元件具有：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的第2半导体区域，设置在上述第1半导体区域之上；第1导电型的第3半导体区域，设置在上述第2半导体区域的一部分之上；导电部，隔着第1绝缘部设置在上述第1半导体区域中；以及栅极电极，隔着第2绝缘部设置在上述导电部之上，在与从上述第1半导体区域朝向上述第2半导体区域的第1方向垂直的第2方向上，与上述第1半导体区域的一部分、上述第2半导体区域及上述第3半导体区域的至少一部分隔着栅极绝缘部而对置，上述控制装置与上述导电部及上述栅极电极电连接，并进行第1动作、第2动作、第3动作及第4动作，在上述第1动作中，使上述导电部的电位从第1电位变化为绝对值大于上述第1电位的第2电位，在上述第2动作中，使上述栅极电极的电位从第3电位变化为绝对值大于上述第3电位的第4电位，将上述半导体元件切换为导通状态，在上述第1动作及上述第2动作之后的上述第3动作中，使上述栅极电极的电位从上述第4电位变化为上述第3电位，将上述半导体元件切换为截止状态，在上述第3动作之后的上述第4动作中，使上述导电部的电位从上述第2电位变化为上述第1电位。
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