[发明专利]交叉点存储器结构阵列和形成交叉点存储器结构阵列的方法

摘要

本发明涉及交叉点存储器结构阵列和形成交叉点存储器结构阵列的方法。一些实施例包含一种存储器阵列，所述存储器阵列具有沿着第一方向延伸的第一组线，和在所述第一组线上方并沿着第二方向延伸的第二组线。所述第二组线与所述第一组线在交叉点部位处交叉。存储器结构在所述交叉点部位内。每个存储器结构包含顶部电极材料、底部电极材料和可编程材料。绝缘材料的轨条平行于所述第二组线延伸并沿着所述第一方向与所述第二组线相间。所述可编程材料具有在所述存储器结构内的第一区和在绝缘材料的所述轨条上方的第二区。平坦化表面横越所述第二组线且横越所述可编程材料的所述第二区延伸。一些实施例包含形成存储器阵列的方法。

主权项

1.一种存储器阵列，其包括：第一组线，其沿着第一方向延伸；第二组线，其在所述第一组线上方，其中所述第二组的个别线与所述第一组的个别线在交叉点部位处交叉；存储器结构，其在所述交叉点部位处位于所述第一组线与所述第二组线之间；每个存储器结构包括顶部电极材料、底部电极材料和在所述顶部电极材料与所述底部电极材料之间的可编程材料；绝缘材料的轨条，其平行于所述第二组线延伸并沿着所述第一方向与所述第二组线相间；所述可编程材料，其具有在所述存储器结构内的第一区且具有在绝缘材料的所述轨条上方的第二区；及平坦化表面，其横越所述第二组线且横越所述可编程材料的所述第二区延伸。