[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201810960326.7 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109935267B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 梁仁坤 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;赵赫 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器装置及操作该半导体存储器装置的方法，以对半导体存储器装置的选择的物理页面进行编程。该方法可以包括执行多个编程循环。编程循环中的每一个可以包括：基于输入到半导体存储器装置的页面缓冲器的数据施加位线电压；将两步编程脉冲施加到与选择的物理页面联接的字线；使用双重验证方案对选择的物理页面执行编程验证操作；以及基于编程验证操作的结果确定待在随后的编程循环中施加的位线电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作半导体存储器装置的方法，以对所述半导体存储器装置的选择的物理页面进行编程，所述方法包括执行多个编程循环，其中所述编程循环中的每一个包括：基于输入到所述半导体存储器装置的页面缓冲器的数据施加位线电压；将两步编程脉冲施加到与所述选择的物理页面联接的字线；使用双重验证方案对所述选择的物理页面执行编程验证操作；以及基于所述编程验证操作的结果确定待在随后的编程循环中施加的位线电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810960326.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种存储单元漏电处理方法、装置及存储器
- 下一篇：半导体装置
