[发明专利]基于介质集成悬置线和高介电材料的电容结构有效

专利信息
申请号: 201810966432.6 申请日: 2018-08-23
公开(公告)号: CN109166729B 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 马凯学;王勇强 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01G4/30 分类号: H01G4/30;H01G4/005
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 李朝虎
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了基于介质集成悬置线和高介电材料的电容结构,包括介质集成悬置线的多层结构,所述多层结构中的一层或多层设置为高介电材料层;所述高介电材料层上设置空腔,且空腔内设置与空腔形状匹配的高介电材料;与高介电材料层相邻的介质层朝向高介电材料层的面上设置金属板。本发明基于介质集成悬置线和高介电材料的电容结构,通过设置上述结构,可以实现在不增大面积的情况下,对电容容值进行调整,从而减小了模块体积,避免了额外的寄生效应的影响。
搜索关键词: 基于 介质 集成 悬置 高介电 材料 电容 结构
【主权项】:
1.基于介质集成悬置线和高介电材料的电容结构,包括介质集成悬置线的多层结构,其特征在于,所述多层结构中的一层或多层设置为高介电材料层;所述高介电材料层上设置空腔,且空腔内设置与空腔形状匹配的高介电材料(1);与高介电材料层相邻的介质层朝向高介电材料层的面上设置金属板(3)。
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