[发明专利]一种分列式电容阵列结构SAR ADC在审

专利信息
申请号: 201810968399.0 申请日: 2018-08-23
公开(公告)号: CN108923786A 公开(公告)日: 2018-11-30
发明(设计)人: 徐代果;王健安;陈光炳;付东兵;王育新;徐世六;张正平;袁浚;胡蓉彬 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
主分类号: H03M1/38 分类号: H03M1/38;H03M1/00
代理公司: 重庆辉腾律师事务所 50215 代理人: 王海军
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于模拟或数模混合集成电路技术领域,涉及一种分列式电容阵列结构SAR ADC,所述SAR ADC包括高位电容阵列、低位电容阵列以及比较器;所述高位电容阵列和低位电容阵列之间通过一个单位电容相连,高位电容阵列各个电容的上极板均连接采样开关对输入信号Vin进行采样,同时其上极板也连接比较器的输入端,高位电容阵列各个电容的下级板分别通过高位开关阵列连接基准电压VREFP或者VREFN;低位电容阵列各个电容的上极板通过接地开关SP与地相连,低位电容阵列各个电容的下级板分别通过低位开关阵列连接基准电压VREFP或者VREFN。本发明提高了整个电容阵列的匹配精度,提升了SAR ADC的精度。
搜索关键词: 电容阵列 电容 低位 上极板 分列式 基准电压 阵列连接 比较器 数模混合集成电路 采样开关 单位电容 低位开关 高位开关 接地开关 下级 输入端 采样 匹配
【主权项】:
1.一种分列式电容阵列结构SAR ADC,其特征在于,所述SAR ADC包括高位电容阵列、低位电容阵列以及比较器;所述高位电容阵列和低位电容阵列之间通过一个单位电容相连,高位电容阵列各个电容的上极板均连接采样开关对输入信号Vin进行采样,同时其上极板也连接比较器的输入端;高位电容阵列各个电容的下级板分别通过高位开关阵列连接基准电压VREFP或者VREFN;低位电容阵列各个电容的上极板通过接地开关SP与地相连,低位电容阵列各个电容的下级板分别通过低位开关阵列连接基准电压VREFP或者VREFN;比较器的另一个输入端接地;其输出端控制高位开关阵列和低位开关阵列的状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第二十四研究所,未经中国电子科技集团公司第二十四研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810968399.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top