[发明专利]双向高维持电流SCR器件有效

专利信息
申请号: 201810972096.6 申请日: 2018-08-24
公开(公告)号: CN109103183B 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 乔明;肖家木;齐钊;何林蓉;梁龙飞;梁旦业;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 敖欢;葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种双向高维持电流SCR器件,包括:P型衬底、N型外延层、第一PWELL区、第一N+接触区、第一P+接触区、第二PWELL区、第二N+接触区、第二P+接触区;位于N型外延层上方的NTOP层;第一N+接触区、第一P+接触区通过金属短接形成金属阳极;第二N+接触区、第二P+接触区通过金属短接形成金属阴极,本发明通过在N型外延层上方引入NTOP层来改变电流分布,使器件IV曲线呈现出多次snapback的特性,提高器件在ESD脉冲电流下的鲁棒性;为避免器件发生闩锁,可以通过调整NTOP层与第一PWELL区、第二PWELL区之间的间距、NTOP层的厚度来调节维持电流。
搜索关键词: 双向 维持 电流 scr 器件
【主权项】:
1.一种双向高维持电流SCR器件,其特征在于包括:P型衬底(00)、位于P型衬底上方N型外延层(01)、位于N型外延层上方左侧的第一PWELL区(201)、位于第一PWELL区(201)内部上方的第一N+接触区(111)、位于第一PWELL区(201)内部上方的第一P+接触区(211);其中第一P+接触区(211)位于第一N+接触区(111)左侧;位于N型外延层上方右侧的第二PWELL区(202)、位于第二PWELL区(202)内部上方的第二N+接触区(112)、位于第二PWELL区(202)内部上方的第二P+接触区(212),其中第二P+接触区(212)位于第一N+接触区(112)右侧;位于N型外延层(01)上方的NTOP层(13);第一N+接触区(111)与第一P+接触区(211)通过金属短接形成金属阳极(31);第二N+接触区(112)、第二P+接触区(212)通过金属短接形成金属阴极(32)。
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