[发明专利]一种超长氧化钼纳米带生长方法

摘要

本发明公开一种超长氧化钼纳米带生长方法，具体是使用气相沉积方法制备超长MoO3纳米带，通过将MoS2放入含有氧气的管式炉中，并加热和通氮气载气，让蒸发的MoS2与管内残余氧气反应，在管壁和硅片上生成MoO3纳米带，纳米带长度可达1～2cm，使用肉眼即可观察纳米带形貌。本发明使用的方法，操作简单，成本低，制备周期短，可重复性强，可行性强，制备纯度高，生长效果好的优点。

主权项

1.一种超长氧化钼纳米带生长方法，其特征在于该方法基于以下设备，包括管式炉设备本体，以及设置在管式炉设备本体内的杠铃形内管；杠铃形内管的中间杠杆位置且靠近于出气口设置硫化钼放置舟，杠铃形内管的哑铃位置且靠近于出气口设置硅放置舟；硫化钼放置舟与硅放置舟的高度差为2.5～3cm，水平距离为7～10cm，且硫化钼放置舟位于较高处；该方法具体包括以下步骤：步骤(1)、硅片清洗预处理并干燥；步骤(2)、将硅片放入杠铃形内管中硅放置舟，将硫化钼粉末作为源放入硫化钼放置舟，然后打开真空泵抽气，使管中气压至40～50Pa；步骤(3)、打开氮气罐，通氮气进入管式炉，使气体流速维持在50～55sccm，气压维持在430～440Pa；步骤(4)、30min内加热至750～800°，并保温40min；步骤(5)、关闭氮气和真空泵，让管式炉自然降温至室温；上述制备得到的超长氧化钼纳米带长度可达1～2cm，宽度为1～2mm。