[发明专利]高压LDMOS器件制作工艺方法及高压LDMOS器件在审
| 申请号： | 201810984597.6 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109148589A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 许昭昭 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压LDMOS器件制作工艺方法，包括如下步骤：步骤1、在P型衬底的上端部选择性注入形成NBL层，在P型衬底上端生长形成P型外延层；步骤2、涂敷光刻胶，在形成DNW连接到NBL隔离结构中，通过光刻将DNW注入区完全打开；在利用DNW注入形成漂移区的注入区采用间隔性部分打开的光刻胶形貌；进行DNW注入，在DNW连接到NBL隔离结构中形成深N阱，同时利用DNW注入和间隔性部分打开的光刻胶形貌形成高压LDMOS器件的漂移区，该漂移区的掺杂浓度小于深N型阱的掺杂浓度。本发明还公开了一种高压LDMOS器件。本发明能有效提高LDMOS的击穿电压并降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 高压LDMOS器件 漂移区 光刻胶形貌 隔离结构 制作工艺 间隔性 注入区 衬底 掺杂 击穿电压 完全打开 制造成本 深N型阱 光刻胶 上端部 上端 深N阱 光刻 涂敷 生长 | ||
【主权项】：
1.一种高压LDMOS器件制作工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在P型衬底的上端部选择性注入形成NBL层，在P型衬底上端生长形成P型外延层；步骤2、涂敷光刻胶，在形成DNW连接到NBL隔离结构中，通过光刻将DNW注入区完全打开；在形成漂移区的注入区采用间隔性部分打开的光刻胶形貌；进行DNW注入，形成深N阱，同时利用DNW注入和间隔性部分打开的光刻胶形貌形成高压LDMOS器件的漂移区；DNW注入完成后，通过热过程使得所述漂移区掺杂分布均匀，且使得该漂移区的掺杂浓度小于深N型阱的掺杂浓度。
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