[发明专利]电机驱动电路、半导体装置以及电子设备

摘要

提供电机驱动电路、半导体装置以及电子设备，与电源用的节点N1和N2以及电机用的节点N3和N4连接的H桥电路在P型半导体衬底中包含：PchMOS晶体管，其配置于N型的第一区域并且连接于N1‑N3之间；NchMOS晶体管，其配置于N型的第二区域并连接于N2‑N3之间；PchMOS晶体管，其配置于N型的第三区域并连接于N1‑N4之间；以及NchMOS晶体管，其配置于N型的第四区域并连接于N2‑N4之间。第一区域与第三区域之间的距离小于第一区域与第二区域之间的距离、第三区域与第四区域之间的距离以及第二区域与第四区域之间的距离。

主权项

1.一种电机驱动电路，其具有第一H桥电路，该第一H桥电路与如下节点连接：第一节点，其被供给第一电源电位；第二节点，其被供给比所述第一电源电位低的第二电源电位；以及第三节点和第四节点，它们分别与作为驱动对象的电机的2个端子连接，在所述电机驱动电路中，所述第一H桥电路包含：第一P沟道MOS晶体管，其在P型的半导体衬底中配置于N型的第一杂质区域，连接于所述第一节点与所述第三节点之间；第一N沟道MOS晶体管，其在所述半导体衬底中配置于N型的第二杂质区域、或者直接配置于所述半导体衬底并具有N型的第二杂质区域，该第一N沟道MOS晶体管连接于所述第二节点与所述第三节点之间；第二P沟道MOS晶体管，其在所述半导体衬底中配置于N型的第三杂质区域，连接于所述第一节点与所述第四节点之间；以及第二N沟道MOS晶体管，其在所述半导体衬底中配置于N型的第四杂质区域、或者直接配置于所述半导体衬底并具有N型的第四杂质区域，该第二N沟道MOS晶体管连接于所述第二节点与所述第四节点之间，所述第一杂质区域与所述第三杂质区域之间的距离小于所述第一杂质区域与所述第二杂质区域之间的距离、小于所述第三杂质区域与所述第四杂质区域之间的距离且小于所述第二杂质区域与所述第四杂质区域之间的距离。