[发明专利]制造半导体装置的方法

摘要

一种制造半导体装置的方法包含在基板上形成具有交替的多个第一半导体层和多个第二半导体层的堆叠的鳍状结构。多个第一半导体层和多个第二半导体层包含沿第一半导体层和第二半导体层的长度的第二部分的任一侧上的第一部分。多个第一半导体层和多个第二半导体层是由不同的材料形成。移除第一半导体层的第二部分以形成开口。形成掩模层于开口上方的最上层的第二半导体层的第二部分上方。利用来自辐射源的辐射照射第一半导体层和第二半导体层的第一部分，以使来自第一半导体层和第二半导体层的第一部分的材料彼此结合。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：形成一鳍状结构于一基板上，该鳍状结构具有交替的多个第一半导体层和多个第二半导体层的一堆叠，其中该些第一半导体层和该些第二半导体层包含多个第一部分，该些第一部分位于沿着该些第一半导体层和该些第二半导体层的一长度的一第二部分的任一侧上，该些第一半导体层和该些第二半导体层由不同的材料形成；移除该些第一半导体层的该第二部分以形成多个开口；形成一掩模层于该些开口上方的该些第二半导体层中的最顶层的该第二部分上；以及使用来自一辐射源的辐射照射该些第一半导体层和该些第二半导体层的该些第一部分，以使来自该些第一半导体层和该些第二半导体层的该些第一部分的材料彼此结合。