[发明专利]半导体存储装置在审
申请号: | 201810992333.5 | 申请日: | 2018-08-29 |
公开(公告)号: | CN110021608A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 小池豪;石原英恵 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L27/11551 | 分类号: | H01L27/11551;H01L27/11578 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 实施方式的半导体存储装置具备基板、积层体、多个第1部件、以及至少一个第1绝缘部件。所述积层体具有多个电极层,这些电极层设置在所述基板上,在第1方向上相互分开而积层,且在与所述基板的上表面平行的第2方向上延伸。所述第1部件设置在所述积层体内,且在所述第1方向及所述第2方向上延伸。所述第1绝缘部件设置在所述积层体内,且以在所述第2方向上将所述多个电极层分成多个区域的方式,在所述第1方向、及与所述第2方向交叉且与所述基板的上表面平行的第3方向上延伸。 | ||
搜索关键词: | 基板 电极层 积层 半导体存储装置 绝缘部件 积层体 上表面 延伸 平行 体内 部件设置 方向交叉 方向上将 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,具备:基板;积层体,具有多个电极层,这些电极层设置在所述基板上,在第1方向上相互分开而积层,且在与所述基板的上表面平行的第2方向上延伸;多个第1部件,设置在所述积层体内,且在所述第1方向及所述第2方向上延伸;以及至少一个第1绝缘部件,设置在所述积层体内,以在所述第2方向上将所述多个电极层分成多个区域的方式,在所述第1方向、及与所述第2方向交叉且与所述基板的上表面平行的第3方向上延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社,未经东芝存储器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810992333.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:三维半导体器件及其形成方法
- 下一篇:具有共享柱结构的多栅极串驱动器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的