[发明专利]半导体存储装置在审

专利信息
申请号: 201810992333.5 申请日: 2018-08-29
公开(公告)号: CN110021608A 公开(公告)日: 2019-07-16
发明(设计)人: 小池豪;石原英恵 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L27/11551 分类号: H01L27/11551;H01L27/11578
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实施方式的半导体存储装置具备基板、积层体、多个第1部件、以及至少一个第1绝缘部件。所述积层体具有多个电极层,这些电极层设置在所述基板上,在第1方向上相互分开而积层,且在与所述基板的上表面平行的第2方向上延伸。所述第1部件设置在所述积层体内,且在所述第1方向及所述第2方向上延伸。所述第1绝缘部件设置在所述积层体内,且以在所述第2方向上将所述多个电极层分成多个区域的方式,在所述第1方向、及与所述第2方向交叉且与所述基板的上表面平行的第3方向上延伸。
搜索关键词: 基板 电极层 积层 半导体存储装置 绝缘部件 积层体 上表面 延伸 平行 体内 部件设置 方向交叉 方向上将
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,具备:基板;积层体,具有多个电极层,这些电极层设置在所述基板上,在第1方向上相互分开而积层,且在与所述基板的上表面平行的第2方向上延伸;多个第1部件,设置在所述积层体内,且在所述第1方向及所述第2方向上延伸;以及至少一个第1绝缘部件,设置在所述积层体内,以在所述第2方向上将所述多个电极层分成多个区域的方式,在所述第1方向、及与所述第2方向交叉且与所述基板的上表面平行的第3方向上延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社,未经东芝存储器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810992333.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top