[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201810992334.X | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110277113B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 长田佳晃;初田幸辅 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一实施方式的半导体存储装置具备：第1及第2存储单元，分别包含电阻变化元件及选择器；第1导电体，电连接于所述第1存储单元的第1端；第2导电体，将所述第1存储单元的第2端与所述第2存储单元的第1端之间电连接；第3导电体，电连接于所述第2存储单元的第2端；第1定电流源，能够经由所述第1导电体与所述第1存储单元电连接；第2定电流源，能够经由所述第3导电体与所述第2存储单元电连接；第1读出放大器，基于从所述第1定电流源向所述第1存储单元流动的电流，从所述第1存储单元读出数据；以及第2读出放大器，基于从所述第2存储单元向所述第2定电流源流动的电流，从所述第2存储单元读出数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具备：第1存储单元及第2存储单元，分别包含电阻变化元件及选择器；第1导电体，电连接于所述第1存储单元的第1端；第2导电体，将所述第1存储单元的第2端与所述第2存储单元的第1端之间电连接；第3导电体，电连接于所述第2存储单元的第2端；第1定电流源，能够经由所述第1导电体与所述第1存储单元电连接；第2定电流源，能够经由所述第3导电体与所述第2存储单元电连接；第1读出放大器，基于从所述第1定电流源向所述第1存储单元流动的电流，从所述第1存储单元读出数据；以及第2读出放大器，基于从所述第2存储单元向所述第2定电流源流动的电流，从所述第2存储单元读出数据。
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