[发明专利]偏振非制冷红外焦平面探测器有效
申请号: | 201810994366.3 | 申请日: | 2018-08-29 |
公开(公告)号: | CN109309140B | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 方辉;赵永强;潘泉 | 申请(专利权)人: | 北方广微科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09 |
代理公司: | 北京展翅星辰知识产权代理有限公司 11693 | 代理人: | 王文生 |
地址: | 100176 北京市大兴区经济技*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请提供一种偏振非制冷红外探测器,包括:阵列排列的多个探测器像元,所述探测器像元包括:包含读出电路的硅基片和所述硅基片之上的微桥结构,其中相邻两行两列的四个所述探测器像元为一个像元组,每个所述像元组中的多个所述探测器像元的偏振结构的设计相同,相互之间通过旋转得到。本申请的技术方案,在非制冷红外焦平面上的探测器像元的微桥结构上集成偏振结构,整个焦平面由多行多列探测器像元构成,每两行两列探测器像元为一个像元组,每个像元组中的多个探测器像元的偏振结构的设计相同,每个像元组中的多个探测器像元的偏振结构通过旋转得到,在进行不同偏振方向的偏振光强度相减扣除时,背景强度相互抵消,实现尽可能均匀的消光比。 | ||
搜索关键词: | 偏振 制冷 红外 平面 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种偏振非制冷红外探测器,其中,包括:阵列排列的多个探测器像元,所述探测器像元包括:包含读出电路的硅基片和所述硅基片之上的微桥结构,所述硅基片上设有电极与金属反射层,所述第一介质保护层覆盖所述金属反射层与所述电极,并开有第一通孔以露出所述电极,所述读出电路与所述电极电连接,所述微桥结构包括桥面和桥墩,其中,所述桥面从下到上依次包括支撑层、热敏电阻层、第二介质保护层、导电层、第三介质保护层、红外吸收层、第四介质保护层和偏振结构,所述偏振结构包括若干个依次平行排列的金属线条,所述桥墩从下到上依次包括支撑层、导电层和第三介质保护层,其中,所述支撑层在所述桥墩处开有第二通孔,所述第二通孔终止于所述电极,所述导电层通过所述第二通孔与所述电极电连接,所述第二介质保护层上开有第三通孔,所述第三通孔终止于所述热敏电阻层,所述热敏电阻层通过所述第三通孔与所述导电层电连接;其中相邻两行两列的四个所述探测器像元为一个像元组,每个所述像元组中的多个所述探测器像元的偏振结构的设计相同,相互之间通过旋转得到。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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