[发明专利]一种直拉硅单晶生长过程工艺参数优化方法有效
| 申请号： | 201810994948.1 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN108914201B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 刘丁;张晶 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;G06F17/50;C30B29/06 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 谈耀文 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种直拉硅单晶生长过程工艺参数优化方法，具体步骤如下：建立硅单晶热场中径向温度梯度 |
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| 搜索关键词： | 工艺参数优化 直拉硅单晶 生长过程 直流变压器 径向温度梯度 能量双向流动 直拉硅单晶炉 轴向温度梯度 满意度函数 电容电压 函数拟合 回归分析 开环控制 模型参数 数值模拟 响应面法 优化模型 直流电压 直流增益 自然平衡 硅单晶 谐振型 自平衡 最优化 求解 固液 级联 热场 熔体 温场 修正 期望 优化 保证 | ||
【主权项】：
1.一种直拉硅单晶生长过程工艺参数优化方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤1、建立硅单晶热场中径向温度梯度![]()
的优化模型；步骤2、建立硅单晶热场中轴向温度梯度G的优化模型；步骤3、采用满意度函数法对模型参数进行最优化求解；步骤4、采用有限元数值模拟方法对直拉硅单晶炉内的熔体和固液界面的温场分布进行仿真；步骤5、利用响应面法对![]()
G进行函数拟合及回归分析、修正，得到优化后的工艺参数。
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