[发明专利]形成绝缘结构的方法在审
| 申请号： | 201810995795.2 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110707037A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 陈柏均;朱玄通;陈意维;刘玮鑫;童宇诚;张家隆 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种形成绝缘结构的方法，包含有下述步骤。首先，提供一基底，具有一第一凹槽、一第二凹槽、以及一第三凹槽，其中第三凹槽的开口大于第二凹槽的开口，且第二凹槽的开口大于第一凹槽的开口。接着，以一原子层沉积制作工艺形成一第一氧化层，且第一氧化层顺应覆盖第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽。接续，以一原位蒸汽产生制作工艺，将一第二氧化层填满第一凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化层 开口 制作工艺 原位蒸汽产生 原子层沉积 绝缘结构 基底 填满 接续 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种形成绝缘结构的方法，包含有：/n提供基底，具有第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽，其中该第三凹槽的开口大于该第二凹槽的开口，且该第二凹槽的开口大于该第一凹槽的开口；/n以原子层沉积制作工艺形成第一氧化层，且该第一氧化层顺应覆盖该第一凹槽、该第二凹槽以及该第三凹槽；以及/n以原位蒸汽产生制作工艺，将第二氧化层填满该第一凹槽。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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