[发明专利]基板清洗方法以及基板清洗装置有效
申请号: | 201811002553.5 | 申请日: | 2018-08-30 |
公开(公告)号: | CN109545705B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 吉田幸史 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及基板清洗方法及装置,该方法包括:处理液供给工序,向基板的上表面供给包含溶质及具有挥发性的溶媒的处理液;成膜工序,从供给处理液使溶媒至少一部分挥发,使处理液固化或硬化,在上表面形成颗粒保持层;除去工序,向上表面供给剥离液,剥离并除去颗粒保持层。颗粒保持层所含的溶质成分的性质为,在加热至变质温度以上前相对于剥离液具有不溶性,加热至变质温度以上会发生变质,相对于剥离液具有可溶性。成膜工序包括加热工序,将处理液加热至小于变质温度的温度,形成颗粒保持层。还包括残渣除去工序,向除去工序后的上表面供给残渣除去液,除去在上表面残留的残渣,残渣除去液相对于加热至变质温度以上之前的溶质成分具有溶解性。 | ||
搜索关键词: | 清洗 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板清洗方法,其中,包括:处理液供给工序,向基板的上表面供给处理液,所述处理液包含溶质以及具有挥发性的溶媒,成膜工序,从供给至所述基板的上表面的所述处理液,使所述溶媒的至少一部分挥发,从而使所述处理液固化或硬化,来在所述基板的上表面形成颗粒保持层,以及,除去工序,向所述基板的上表面供给用于剥离所述颗粒保持层的剥离液,从而从所述基板的上表面剥离并除去所述颗粒保持层;所述颗粒保持层所包含的作为所述溶质的溶质成分的性质为,在加热至变质温度以上的温度之前,相对于所述剥离液具有不溶性,且加热至所述变质温度以上的温度会发生变质,相对于所述剥离液具有可溶性,所述成膜工序包括加热工序,在所述加热工序中,将供给至所述基板的上表面的所述处理液加热至小于所述变质温度的温度,从而在不使所述溶质成分发生变质的情况下,在所述基板的上表面形成所述颗粒保持层,所述基板清洗方法还包括残渣除去工序,在所述残渣除去工序中,向进行所述除去工序之后的所述基板的上表面供给残渣除去液,来除去在除去所述颗粒保持层之后的所述基板的上表面残留的残渣,所述残渣除去液相对于加热至所述变质温度以上的温度之前的所述溶质成分具有溶解性。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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