[发明专利]一种集成电路封装结构的制造方法在审

专利信息
申请号: 201811005785.6 申请日: 2016-07-17
公开(公告)号: CN109524387A 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 高燕妮
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 325600 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种集成电路封装结构的制造方法,其包括以下步骤:(1)提供一带有凹槽的金属基板,将电磁芯片固定于凹槽底部,所述凹槽的深度和宽度分别大于所述电磁芯片的高度和宽度;(2)形成环绕电磁芯片的环形屏蔽层;(3)用封装胶填充满所述凹槽,完全覆盖电磁芯片和环形屏蔽层,固化后形成封装层;(4)在对应电磁芯片的电极位置开槽形成通孔,所述通孔的孔径小于屏蔽凹槽的宽度;在所述通孔中填充导电物质形成连接电磁芯片的导电通孔,所述导电通孔的材质为非金属;(5)形成在金属基板上的线路层和连接导电通孔的焊盘,并利用线路层和焊盘耦合其他集成芯片。本发明减小电磁干扰,减小了封装体积,增强了封装的灵活性。
搜索关键词: 电磁芯片 导电通孔 通孔 集成电路封装结构 环形屏蔽 金属基板 线路层 减小 封装 导电物质 电磁干扰 电极位置 焊盘耦合 集成芯片 封装层 封装胶 焊盘 开槽 屏蔽 固化 填充 制造 环绕
【主权项】:
1.一种集成电路封装结构的制造方法,其包括以下步骤:(1)提供一带有凹槽的金属基板,将电磁芯片固定于凹槽底部,所述凹槽的深度和宽度分别大于所述电磁芯片的高度和宽度;(2)形成环绕电磁芯片的环形屏蔽层;(3)用封装胶填充满所述凹槽,完全覆盖电磁芯片和环形屏蔽层,固化后形成封装层;(4)在对应电磁芯片的电极位置开槽形成通孔,所述通孔的孔径小于屏蔽凹槽的宽度;在所述通孔中填充导电物质形成连接电磁芯片的导电通孔,所述导电通孔的材质为非金属;(5)形成在金属基板上的线路层和连接导电通孔的焊盘,并利用线路层和焊盘耦合其他集成芯片。
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