[发明专利]有机半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201811007229.2 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109166968B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 陈黎暄 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本揭示提供了有机半导体器件的制备方法。所述方法包括提供衬底，在衬底上形成牺牲层，在牺牲层上形成图案化的有机半导体层，在图案化的有机半导体层上形成绝缘层，在绝缘层上形成栅电极，从图案化的有机半导体层上分离牺牲层及衬底，以及在图案化的有机半导体层上形成源漏电极。本揭示能提供简单有效的有机半导体器件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机半导体器件的制备方法，其特征在于，包括:提供衬底；在所述衬底上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成图案化的有机半导体层；在所述图案化的有机半导体层上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成栅电极；从所述图案化的有机半导体层上分离所述牺牲层及所述衬底；以及在所述图案化的有机半导体层上形成源漏电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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