[发明专利]一种金纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列复合异质结薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811008100.3 申请日: 2018-08-31
公开(公告)号: CN109126785A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 廖宇龙;陈佳惠;李元勋;廖斌;张恒军;张怀武 申请(专利权)人: 电子科技大学;赣州市德普特科技有限公司
主分类号: B01J23/52 分类号: B01J23/52;B01J37/16;C25D11/26;C02F1/30;C02F101/30
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 吴姗霖
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种金纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列复合异质结薄膜的制备方法,属于金‑半导体纳米材料制备技术领域。本发明在阳极氧化法制得的TiO2纳米管阵列薄膜的基础上,采用浸没装载技术,将粒径高度均匀的金纳米颗粒装载于TiO2纳米管阵列上,形成金‑半复合半导体异质结薄膜。本发明将一维TiO2纳米管阵列的物理化学稳定的优点和具有全光谱光催化活性的Au NPs的特性有机结合,得到的复合异质结薄膜在光催化、传感器和太阳能电池方面有着广泛的应用前景;同时该方法成本低,重复性好,工艺简单,可实现大规模工业化生产。
搜索关键词: 异质结 薄膜 金纳米颗粒 二氧化钛纳米管阵列 复合 制备 装载 大规模工业化生产 半导体纳米材料 物理化学 阳极氧化法制 制备技术领域 复合半导体 光催化活性 太阳能电池 有机结合 阵列薄膜 光催化 全光谱 浸没 传感器 粒径 应用
【主权项】:
1.一种金纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列复合异质结薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、采用阳极氧化法制备锐钛矿型的TiO2纳米管阵列薄膜;步骤2、含有金纳米颗粒的甲苯溶液的配制;步骤3、将步骤1得到的TiO2纳米管阵列薄膜浸没于步骤2配制的含有金纳米颗粒的甲苯溶液中,3~5s后,取出,烘干,重复“浸没、取出、烘干”过程1~7次,以增加装载于二氧化钛纳米管阵列中的Au NPs数量;步骤4、将步骤3得到的负载有金纳米颗粒的TiO2纳米管阵列薄膜样品置于烘箱中,在180~200℃下干燥120~240min,自然冷却至室温,取出,即可得到所述金纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列复合异质结薄膜。
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