[发明专利]一种基于熔丝技术的芯片参数多次编程电路

摘要

一种基于熔丝技术的芯片参数多次编程电路，包括：烧断指令器；四根熔丝；四个MOS管，每个MOS管的栅极与烧断指令器连接，接收烧断指令；第一MOS管的漏极与第二MOS管的漏极之间连接第一熔丝，第一MOS管的源极与第二MOS管的源极之间连接第二熔丝，第一MOS管的漏极接第二电阻、第二MOS管的漏极接第一电阻，第一MOS管的源极接第三电阻、第二MOS管的源极接第四电阻合并接入比较器的正极；第三MOS管的漏极与第四MOS管的漏极之间连接第三熔丝，第三MOS管的源极与第四MOS管的源极之间连接第四熔丝，第三MOS管的漏极接第六电阻、第四MOS管的漏极接第五电阻，第三MOS管的源极接第七电阻、第二MOS管的源极接第八电阻合并接入比较器的负极。

主权项

1.一种基于熔丝技术的芯片参数多次编程电路，其特征在于：包括：烧断指令器，发出烧断指定熔丝的指令；四根熔丝，接入编程电路中；四个MOS管，每个MOS管的栅极与烧断指令器连接，接收烧断指令；第一MOS管的漏极与第二MOS管的漏极之间连接第一熔丝，第一MOS管的源极与第二MOS管的源极之间连接第二熔丝，第一MOS管的漏极接第一电阻、第二MOS管的漏极接第二电阻，第一MOS管的源极接第三电阻、第二MOS管的源极接第四电阻合并接入比较器的正极；第三MOS管的漏极与第四MOS管的漏极之间连接第三熔丝，第三MOS管的源极与第四MOS管的源极之间连接第四熔丝，第三MOS管的漏极接第五电阻、第四MOS管的漏极接第六电阻，第三MOS管的源极接第七电阻、第二MOS管的源极接第八电阻合并接入比较器的负极；其中，第一电阻至第八阻值的设置为：熔丝未熔断时，比较器正相输入电压值高于比较器反相输入电压值，比较器输出高电平；第一熔丝熔断后，比较器正相输入电压值低于比较器反相输入电压值，比较器输出低电平；第二熔丝熔断后，比较器正相输入电压值高于比较器反相输入电压值，比较器输出高电平；第三熔丝熔断后，比较器正相输入电压值低于比较器反相输入电压值，比较器输出低电平；第四熔丝熔断后，比较器正相输入电压值高于比较器反相输入电压值，比较器输出高电平。