[发明专利]电子装置有效
申请号: | 201811011163.4 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN109427705B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 板东晃司;西山知宏 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L25/07 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种电子装置,实现包括功率晶体管的电子装置的散热特性的改进。半导体模块包括在逆变器电路中包括的第一和第二封装。在所述第一封装中,嵌入具有高压侧功率晶体管的半导体芯片。在所述第二封装中,嵌入具有低压侧功率晶体管的半导体芯片。在所述第一和第二封装的两个宽表面处,暴露电耦合到所述功率晶体管的相应集电极的第一金属电极,以及电耦合到所述功率晶体管的相应发射极的第二金属电极。具有比第一和第二金属电极的面积大的面积的四个相应汇流条板接合到所述第一和第二封装的所述第一和第二金属电极。 | ||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
【主权项】:
1.一种电子装置,包括:第一密封体,所述第一密封体密封第一半导体芯片、具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的第一金属板、以及具有第三表面和与所述第三表面相反的第四表面的第二金属板,使得所述第二表面和所述第四表面从所述第一密封体暴露,所述第一半导体芯片具有第一功率晶体管、所述第一功率晶体管的第一电极、所述第一功率晶体管的第二电极、以及所述第一功率晶体管的第一控制电极,所述第一表面面对并且电耦合到所述第一半导体芯片的所述第一电极,所述第三表面面对并且电耦合到所述第一半导体芯片的所述第二电极;第二密封体,所述第二密封体密封第二半导体芯片、具有第五表面和与所述第五表面相反的第六表面的第三金属板、以及具有第七表面和与所述第七表面相反的第八表面的第四金属板,使得所述第六表面和所述第八表面从所述第二密封体暴露,所述第二半导体芯片具有第二功率晶体管、所述第二功率晶体管的第三电极、所述第二功率晶体管的第四电极、以及所述第二功率晶体管的第二控制电极,所述第五表面面对并且电耦合到所述第二半导体芯片的所述第三电极,所述第七表面面对并且电耦合到所述第二半导体芯片的所述第四电极;第一端子,所述第一端子具有第九表面和与所述第九表面相反的第十表面,所述第九表面经由第一导体层电耦合到所述第一金属板的所述第二表面;第二端子,所述第二端子具有第十一表面和与所述第十一表面相反的第十二表面,所述第十一表面经由第二导体层电耦合到所述第四金属板的所述第八表面;以及输出端子,所述输出端子经由第三导体层电耦合到所述第二金属板的所述第四表面和所述第三金属板的所述第六表面,其中所述第一端子在平面图中的面积大于所述第一金属板在平面图中的面积,其中所述第二端子在平面图中的面积大于所述第四金属板在平面图中的面积,以及其中所述输出端子在平面图中的面积大于所述第二金属板在平面图中的面积或所述第三金属板在平面图中的面积。
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