[发明专利]一种三维存储器的制造方法

摘要

本申请公开了一种三维存储器的制造方法，由该方法制成的存储器中，其每个沟道孔内的第一掺杂类型材料层和第二掺杂类型材料层作为对应存储串的各个存储单元的源极和漏极，同一存储串内的各个存储单元均可以通过源极和漏极实现电路通路，因而，通过同一沟道孔内的第一掺杂类型材料层和第二掺杂类型材料层能够将同一存储串内的各个存储单元形成并联结构。如此，在每个存储单元的栅极上施加较小的控制电压即可实现对存储单元的选通，而且，因同一存储串内的各个存储单元为并联结构。因而，该三维存储器的结构有利于降低三维存储器中的读取干扰、传输干扰和编辑干扰。

主权项

1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括若干层间隔设置的栅极层；形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔；在所述沟道孔的侧壁上形成存储器层；沿所述存储器层的径向内侧依次形成第一掺杂类型材料层和第二掺杂类型材料层；所述第一掺杂类型材料层、第二掺杂类型材料层接触；所述第一掺杂类型材料层和所述第二掺杂类型材料层中，一个为源极，另一个为漏极。