[发明专利]一种掩模版的制备方法

摘要

本发明提供了一种掩模版的制备方法，利用已有的光学临近修正模型对初始目标图形中的第二层图形进行修正之前，对初始目标图形中覆盖部分所述第二层图形的第一层图形按照图形的设计规则划分为第一类图形和第二类图形并针对所述第一类图形和所述第二类图形分别设定检查规格以减少利用仿真模拟软件对修正结果进行检查时误报错的次数，从而减少检查所需的时间，提高最终晶圆的出版效率。

主权项

1.一种掩模版的制备方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S01：提供初始目标图形，所述初始目标图形包括第一层图形和第二层图形，所述第一层图形包括多个结构图形，按照图形的设计规则将多个所述结构图形分为第一类图形和第二类图形；步骤S02：利用光学临近修正模型对所述第二层图形进行修正；步骤S03：在已有的仿真模拟软件上针对所述第一类图形设定第一检查规格，针对所述第二类图形设定第二检查规格，并利用所述仿真模拟软件对所述第一类图形、所述第二类图形以及修正后的所述第二层图形进行仿真以及按所述第一检查规格和第二检查规格分别执行检查步骤；步骤S04：所述仿真模拟软件根据检查的结果判断是否报错，若报错，则判断所述报错是否存在工艺风险，若无风险，则认定对所述第二图形进行修正后的初始目标图形为终极目标图形，若存在风险，则再次执行步骤S02和步骤S03，以得到终极目标图形；步骤S05：按终极目标图形，制备掩模版。