[发明专利]用于铜钼膜层的刻蚀方法及刻蚀装置在审
| 申请号： | 201811013179.9 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109136926A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 赵芬利 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26;C23F1/08;C23F1/02 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种用于铜钼膜层的刻蚀方法和刻蚀装置，所述刻蚀方法包括：步骤S10，在基板上形成铜钼膜层；步骤S20，在所述铜钼膜层上形成预定图案的光刻胶；步骤S30，将形成有所述光刻胶的基板置于刻蚀装置中；步骤S40，对所述刻蚀装置内部进行紫外线照射，以及向所述刻蚀装置内充注臭氧；步骤S50，利用刻蚀液对所述铜钼膜层进行刻蚀。本发明能够提高刻蚀效率和产能，另外，也能够减少刻蚀液的用量，进而降低刻蚀液的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀装置 膜层 铜钼 刻蚀 刻蚀液 光刻胶 基板 紫外线照射 刻蚀效率 预定图案 产能 臭氧 | ||
【主权项】：
1.一种用于铜钼膜层的刻蚀方法，其特征在于，包括：步骤S10，在基板上形成铜钼膜层；步骤S20，在所述铜钼膜层上形成预定图案的光刻胶；步骤S30，将形成有所述光刻胶的基板置于刻蚀装置中；步骤S40，对所述刻蚀装置内部进行紫外线照射，以及向所述刻蚀装置内充注臭氧；步骤S50，利用刻蚀液对所述铜钼膜层进行刻蚀。
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