[发明专利]一种瞬态电压抑制器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种瞬态电压抑制器件及其制造方法，所述瞬态电压抑制器件包括：衬底；第一导电类型阱区，设于衬底中，包括第一阱、第二阱；第三阱，设于衬底上，第三阱的底部延伸至衬底；第四阱，设于第一阱中；第一掺杂区，设于第二阱中；第二掺杂区，设于第三阱中；第三掺杂区，设于第四阱中；第四掺杂区，设于第四阱中；第五掺杂区，从第四阱中延伸至第四阱外，且位于第四阱外的部分位于第一阱中；第六掺杂区，设于第一阱中；第七掺杂区，设于第五掺杂区下方、第一阱中。本发明可直接通过芯片正面的金属连线层将泄放电流引出，避免由于在衬底背面增加金属引出线，导致寄生的电阻和电感影响芯片性能。