[发明专利]晶片测试装置及测试方法在审

专利信息
申请号: 201811019070.6 申请日: 2018-09-03
公开(公告)号: CN108957300A 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 袁礼君;阚梓瑄
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本公开是关于一种晶片测试装置及方法,该晶片测试装置包括:介面卡,所述介面卡包括:信号合成装置、多个第一接口和第二接口;信号合成装置用于将多个检测仪发出的第一信号合成第二信号,并将所述第二信号发送给晶片插座;多个第一接口设置在所述信号合成装置的输入端,用于连接所述多个检测仪;第二接口设置在所述信号合成装置的输出端,用于连接晶片插座。通过信号合成装置将多个检测仪输出的低频率的第一信号合成为高频率的第二信号,利用了多个低频检测仪实现了晶片的高频测试。
搜索关键词: 信号合成装置 第二信号 检测仪 晶片测试装置 接口设置 晶片插座 介面卡 测试装置 低频检测 高频测试 低频率 高频率 输出端 输入端 晶片 种晶 合成 测试 输出
【主权项】:
1.一种晶片测试装置,其特征在于,所述晶片测试装置包括:介面卡,所述介面卡包括:信号合成装置,用于将多个检测仪发出的第一信号合成第二信号,并将所述第二信号发送给晶片插座;多个第一接口,设置在所述信号合成装置的输入端,用于连接所述多个检测仪;第二接口,设置在所述信号合成装置的输出端,用于连接晶片插座。
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