[发明专利]封装结构及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201811019434.0 申请日: 2018-09-03
公开(公告)号: CN109148309A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 严其新 申请(专利权)人: 苏州通富超威半导体有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 徐文欣;吴敏
地址: 215021 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种封装结构及其形成方法,其中,形成方法包括:提供第一晶圆;提供载板,载板内具有空腔,所述载板包括包围空腔的第一腔壁和第二腔壁,第一腔壁中具有贯穿第一腔壁的第一开口,第二腔壁中具有贯穿第二腔壁的第二开口,且所述第一开口和第二开口均与空腔连通,所述载板还包括设置于第二开口中的开关;将所述第一晶圆置于第一腔壁外表面,使所述第一晶圆封闭第一开口;打开开关;所述第一晶圆封闭第一开口后,且打开开关后,通过第二开口对空腔进行减压抽气处理;减压抽气处理后,关闭所述开关,使空腔密闭,第一晶圆与载板键合在一起。所述方法能够降低键合第一晶圆和载板的热预算。
搜索关键词: 腔壁 开口 晶圆 空腔 载板 封装结构 减压抽气 键合 空腔连通 热预算 封闭 贯穿 密闭 包围
【主权项】:
1.一种封装结构,其特征在于,包括:载板,所述载板内具有空腔,所述载板包括包围空腔的第一腔壁和第二腔壁,所述第一腔壁中具有贯穿第一腔壁的第一开口,所述第二腔壁中具有贯穿第二腔壁的第二开口,且所述第一开口和第二开口均与空腔连通,所述载板还包括设置于所述第二开口中的开关;位于所述第一腔壁外表面的第一晶圆,第一晶圆封闭第一开口,所述开关处于闭合状态,空腔密闭,且所述空腔内的压强小于空腔外的压强。
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