[发明专利]封装结构及其形成方法在审
申请号: | 201811019434.0 | 申请日: | 2018-09-03 |
公开(公告)号: | CN109148309A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 严其新 | 申请(专利权)人: | 苏州通富超威半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 215021 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种封装结构及其形成方法,其中,形成方法包括:提供第一晶圆;提供载板,载板内具有空腔,所述载板包括包围空腔的第一腔壁和第二腔壁,第一腔壁中具有贯穿第一腔壁的第一开口,第二腔壁中具有贯穿第二腔壁的第二开口,且所述第一开口和第二开口均与空腔连通,所述载板还包括设置于第二开口中的开关;将所述第一晶圆置于第一腔壁外表面,使所述第一晶圆封闭第一开口;打开开关;所述第一晶圆封闭第一开口后,且打开开关后,通过第二开口对空腔进行减压抽气处理;减压抽气处理后,关闭所述开关,使空腔密闭,第一晶圆与载板键合在一起。所述方法能够降低键合第一晶圆和载板的热预算。 | ||
搜索关键词: | 腔壁 开口 晶圆 空腔 载板 封装结构 减压抽气 键合 空腔连通 热预算 封闭 贯穿 密闭 包围 | ||
【主权项】:
1.一种封装结构,其特征在于,包括:载板,所述载板内具有空腔,所述载板包括包围空腔的第一腔壁和第二腔壁,所述第一腔壁中具有贯穿第一腔壁的第一开口,所述第二腔壁中具有贯穿第二腔壁的第二开口,且所述第一开口和第二开口均与空腔连通,所述载板还包括设置于所述第二开口中的开关;位于所述第一腔壁外表面的第一晶圆,第一晶圆封闭第一开口,所述开关处于闭合状态,空腔密闭,且所述空腔内的压强小于空腔外的压强。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造