[发明专利]场效应晶体管及制作方法在审
| 申请号： | 201811019944.8 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110875372A | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 裴晓延 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 徐丽 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供的场效应晶体管及制作方法，涉及半导体及其制作技术领域，其中，场效应晶体管从下至上依次为漏极、衬底、漂移层、同层设置的电流阻挡层及电流孔径、半导体层、源极和栅极。通过在电流孔径上设置插入层，使插入层与半导体层形成阻止电子从源极通过电流孔径流向漏极的势垒，从而减少CAVET器件在反向偏置条件下通过第三条漏电路径的漏电，提升CAVET器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
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