[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811022389.4 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109346575B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 王海峰;芦玲;祝光辉;陈明;王淑娇;吕腾飞 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 21200 大连理工大学专利中心 | 代理人： | 温福雪 |
| 地址： | 223001*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种发光二极管外延片及其制备方法。发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、缓冲层、非故意掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、n型电子阻挡层、应力释放层、具有新量子阱结构的发光层、p型电子阻挡层、p型氮化镓层、p型接触层。本发明创新在于设计了一种新的量子阱生长结构，通过在传统量子阱生长前后插入富铟层，减少了量子阱层铟组分的波动，在较大程度上提高了外延片的发光均匀性，进而提升了LED芯片的光效性能。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管外延 量子阱生长 制备 非故意掺杂氮化镓层 半导体器件制备 电子阻挡层 发光均匀性 量子阱结构 应力释放层 蓝宝石 光效性能 量子阱层 发光层 缓冲层 外延片 衬底 铟层 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述的发光二极管外延片以蓝宝石为衬底，其表面依次为缓冲层、非故意掺杂氮化镓层和n型氮化镓层，其中n型氮化镓层，以硅烷为掺杂剂；在n型氮化镓层上再依次生长n型电子阻挡层和应力释放层，其中应力释放层为数个周期的In
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