[发明专利]发光装置及其制造方法在审
申请号: | 201811023882.8 | 申请日: | 2018-09-04 |
公开(公告)号: | CN110071137A | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 王群雄;陈政欣;吴家伟 | 申请(专利权)人: | 创王光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/768 |
代理公司: | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人: | 孟锐 |
地址: | 中国台湾新竹县30*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一发光装置包含一晶体管。该晶体管具有一栅极层以及位于该栅极层下方的一介电质。该发光装置亦包含耦接至该晶体管的一电容。该电容包含一第一电极、位于该第一电极上方的一第二电极,以及位于该第一电极与该第二电极之间的一介电质。该发光装置进一步包含一接触介电质,该接触介电质分隔该晶体管与该电容。该接触介电质完全围绕该电容与该晶体管,且该接触介电质是无氮的。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 发光装置 电容 介电质 第一电极 第二电极 栅极层 电质 耦接 分隔 制造 | ||
【主权项】:
1.一种发光装置,包含:一发光二极管;一晶体管,其耦接至该发光二极管,该晶体管包含一源极/漏极;以及一导电插塞,其包含位于该源极/漏极上的一端以及耦接至该发光二极管的另一端,其中该导电插塞与该源极/漏极之间的一接触面积小于1μm乘以1μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的