[发明专利]一种测量注入层光刻对准偏差的方法在审
| 申请号： | 201811024232.5 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109192674A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市南硕明泰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/12 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种测量注入层光刻对准偏差的方法，该方法通过获得当第一离子注入区与第二离子注入区处于完全对准状态时的最大击穿电压以及利用本发明提供的测试结构进行正电压扫描获得的测试电流为1mA时的测试击穿电压来计算注入层光刻对准偏差，其中注入层光刻对准偏差＝100％*(最大击穿电压‑测试击穿电压)/最大击穿电压，提高对准偏差测试准确度和敏感度，大大节省失效分析的成本和时间。 | ||
| 搜索关键词： | 击穿电压 光刻对准偏差 注入层 离子注入区 测量 测试 测试准确度 测试电流 测试结构 对准偏差 对准状态 失效分析 敏感度 正电压 扫描 | ||
【主权项】：
1.一种测量注入层光刻对准偏差的方法，其特征在于，包括：获得当第一离子注入区与第二离子注入区处于完全对准状态时的最大击穿电压；将第一金属接地，第二金属进行正电压扫描，其中所述第一金属与所述第一离子注入区连接且所述第二金属与所述第二离子注入区连接，或所述第一金属与所述第二离子注入区连接且所述第二金属与所述第一离子注入区连接；将测试电流为1mA时的电压记录为测试击穿电压；计算注入层光刻对准偏差，其中注入层光刻对准偏差＝100％*(最大击穿电压‑测试击穿电压)/最大击穿电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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