[发明专利]在共同衬底上具有不同功函数的非平面I/O和逻辑半导体器件有效
| 申请号： | 201811024602.5 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN108807274B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | R·W·奥拉-沃;W·M·哈菲兹;C-H·简;P-C·刘 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/84;H01L27/088;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 说明了在共同衬底上具有不同功函数的非平面I/O和逻辑半导体器件及制造在共同衬底上具有不同功函数的非平面I/O和逻辑半导体器件的方法。例如，一种半导体结构包括布置在衬底上的第一半导体器件。第一半导体器件具有导电类型，并包括具有第一功函数的栅极电极。半导体结构还包括布置在衬底上的第二半导体器件。第二半导体器件具有所述导电类型，并包括具有不同的第二功函数的栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 共同 衬底 具有 不同 函数 平面 逻辑 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：具有第一鳍状物的第一N型fin‑FET器件，所述第一N型fin‑FET器件包括具有第一层的第一栅极电极，所述第一层具有成分，所述第一层具有第一厚度；以及具有第二鳍状物的第二N型fin‑FET器件，所述第二N型fin‑FET器件包括具有第二层的第二栅极电极，所述第二层具有所述成分，所述第二层具有大于所述第一厚度的第二厚度，其中，所述第二N型fin‑FET器件的所述第二栅极电极的栅极长度大于所述第一N型fin‑FET器件的所述第一栅极电极的栅极长度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811024602.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制造方法
- 下一篇：半导体器件的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
