[发明专利]集成电路存储器及其形成方法

摘要

本发明涉及集成电路领域，提供了一种集成电路存储器及其形成方法。在所述形成方法中，在衬底上形成隔离层并在其中形成暴露多个第二源/漏区的开口后，利用外延生长工艺在对应于同一开口内的多个第二源/漏区的衬底表面形成对应的多个外延接触，然后形成导电材料层覆盖多个外延接触的顶表面并搭接相邻的外延接触以构成空腔在开口内，然后刻蚀导电材料层以打开空腔且形成与多个第二源/漏区一一对应连接的多个存储节点接触，每个存储节点接触包括与第二源/漏区对应的沿远离衬底表面的方向依次叠加的外延接触和部分剩余的导电材料层。所述形成方法有利于去除相邻存储节点之间导电材料的残留，缩短刻蚀时间，减小或避免对衬底造成损伤。