[发明专利]一种硅基光伏电池及其制造方法

摘要

本发明涉及一种硅基光伏电池及其制造方法，该硅基光伏电池的制造方法包括以下步骤：在所述单晶硅片的上表面和下表面均形成类金字塔微结构；接着在所述单晶硅片的上下表面分别形成对应的第一矩形沟槽和第二矩形沟槽，所述第一矩形沟槽与相应的所述第二矩形沟槽在垂直方向上完全重叠；然后在所述单晶硅片的上下表面沉积各非晶硅层、透明导电层以及栅电极。本发明的硅基光伏电池具有优异的光电转换效率。

主权项

1.一种硅基光伏电池的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：1)提供一具有第一导电类型的单晶硅片，对所述单晶硅片进行双面制绒处理，在所述单晶硅片的上表面和下表面均形成类金字塔微结构；2)接着在所述单晶硅片的上表面形成多个平行排列的第一矩形沟槽，在所述单晶硅片的下表面形成多个平行排列的第二矩形沟槽，多个所述第一矩形沟槽和多个所述第二矩形沟槽分别一一对应，所述第一矩形沟槽与相应的所述第二矩形沟槽的尺寸相同，且所述第一矩形沟槽与相应的所述第二矩形沟槽在垂直方向上完全重叠；3)对多个所述第一矩形沟槽和多个所述第二矩形沟槽进行二次制绒处理，以在所述第一矩形沟槽和所述第二矩形沟槽各自的底面形成类金字塔微结构；4)接着在所述单晶硅片的上表面依次沉积第一本征非晶硅层和第二导电类型掺杂的第二非晶硅层；5)接着在所述单晶硅片的下表面依次沉积第三本征非晶硅层和第一导电类型掺杂的第四非晶硅层；6)接着在所述单晶硅片的上表面沉积第一透明导电层；7)接着在所述单晶硅片的下表面沉积第二透明导电层；8)在所述第一透明导电层上沉积第一栅电极；9)在所述第二透明导电层上沉积第二栅电极。