[发明专利]光刻方法、柔性基板的制备方法以及光刻胶烘干装置有效
| 申请号： | 201811030146.5 | 申请日： | 2018-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN109164677B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 唐成;孙泽斌;甄珍;张浩;张时涛;樊新星;张旭东 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/38;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种光刻方法、柔性基板的制备方法以及光刻胶烘干装置。该光刻方法包括：提供形成有待刻材料层的衬底基板，该衬底基板包括中间区域和围绕中间区域的周边区域；在衬底基板上涂覆一层光刻胶，该光刻胶涂覆在中间区域和周边区域中；烘干光刻胶，同时对涂覆在周边区域中的光刻胶进行第一曝光处理。该光刻方法在烘干光刻胶的同时对位于周边区域中的光刻胶进行第一曝光处理，可以节约生产时间，并可以使位于周边区域中的光刻胶得到更充分的曝光。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 柔性 制备 以及 烘干 装置 | ||
【主权项】：
1.一种光刻方法，包括：提供形成有待刻材料层的衬底基板，其中，所述衬底基板包括中间区域和围绕所述中间区域的周边区域；在所述衬底基板上涂覆一层光刻胶，其中，所述光刻胶涂覆在所述中间区域和所述周边区域中；烘干所述光刻胶，同时对涂覆在所述周边区域中的光刻胶进行第一曝光处理。
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