[发明专利]制造半导体存储器设备的方法有效
| 申请号： | 201811030495.7 | 申请日： | 2018-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110277491B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 园田康幸;丁潽敬 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司;SK海力士公司 |
| 主分类号： | H10N50/01 | 分类号： | H10N50/01;H10N50/10;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;杨晓光 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提出制造半导体存储器设备的方法。根据一个实施例，在基板上形成绝缘层。在绝缘层中形成孔。在孔中形成金属层以填充孔。通过采用具有第一角度的离子束进行蚀刻来移除绝缘层的表面和金属层的表面，该离子束以第一蚀刻速率蚀刻绝缘层和金属层二者。在金属层上形成电阻变化元件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 存储器 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体存储器设备的方法，所述方法包括：在基板上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成孔；在所述孔中形成金属层以填充所述孔；通过采用具有第一角度的离子束进行蚀刻来移除所述绝缘层的表面和所述金属层的表面，所述绝缘层和所述金属层二者都以第一蚀刻速率采用具有所述第一角度的所述离子束进行蚀刻；以及在所述金属层上形成电阻变化元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司;SK海力士公司，未经铠侠股份有限公司;SK海力士公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811030495.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
