[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置在审
| 申请号： | 201811032685.2 | 申请日： | 2018-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN109192704A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 杨宇桐;黄中浩;吴旭;王兆君;豆远尧 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张京波;曲鹏 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置。阵列基板的制备方法包括：形成栅电极；通过一次构图工艺形成氧化物有源层、源电极、漏电极和像素电极。阵列基板包括设置在基底上的栅电极，覆盖所述栅电极的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层上的氧化物有源层，设置在所述氧化物有源层上的源电极、漏电极和像素电极。本发明减少了2次构图工艺，最大限度地简化了工艺流程，大幅度降低了生产成本，提高了产能，同时避免了高压射频等离子体对氧化物有源层的轰击，提高了薄膜晶体管电学稳定性和工作可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物有源层 阵列基板 栅电极 绝缘层 构图工艺 显示装置 像素电极 漏电极 源电极 射频等离子体 薄膜晶体管 电学稳定性 工作可靠性 工艺流程 产能 基底 轰击 制备 生产成本 制造 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：形成栅电极；通过一次构图工艺形成氧化物有源层、源电极、漏电极和像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
