[发明专利]晶片的加工方法

摘要

提供晶片的加工方法，该方法包含：切削槽形成工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线通过切削刀具形成深度相当于器件芯片的完工厚度的切削槽；密封工序，利用密封材料将晶片的正面密封；对准工序，通过红外线拍摄构件对晶片的正面侧进行拍摄而检测对准标记，根据对准标记来检测应进行激光加工的分割预定线；改质层形成工序，将对于密封材料具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在切削槽中的密封材料的内部而照射激光束而形成改质层；磨削工序，从晶片的背面侧将晶片磨削至器件芯片的完工厚度而使切削槽中的密封材料露出；和分割工序，对切削槽中的密封材料赋予外力而以改质层为分割起点将该晶片分割成正面和4个侧面被密封材料围绕的各个器件芯片。

主权项

1.一种晶片的加工方法，该晶片在由交叉形成的多条分割预定线划分的正面的各区域内分别形成有器件，该器件具有多个凸块，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：切削槽形成工序，从该晶片的正面侧沿着该分割预定线通过切削刀具来形成深度相当于器件芯片的完工厚度的切削槽；密封工序，在实施了该切削槽形成工序之后，利用密封材料将该晶片的包含该切削槽的正面密封；对准工序，在实施了该密封工序之后，通过红外线拍摄构件从该晶片的正面侧透过该密封材料对晶片的正面侧进行拍摄而检测对准标记，根据该对准标记来检测应进行激光加工的该分割预定线；改质层形成工序，在实施了该对准工序之后，将对于该密封材料具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在该切削槽中的该密封材料的内部，从该晶片的正面侧沿着该分割预定线照射激光束而在该切削槽中的该密封材料的内部形成改质层；磨削工序，在实施了该改质层形成工序之后，从该晶片的背面侧将该晶片磨削至该器件芯片的完工厚度而使该切削槽中的该密封材料露出；以及分割工序，在实施了该磨削工序之后，对该切削槽中的该密封材料赋予外力而以该改质层为分割起点将该晶片分割成正面和4个侧面被该密封材料围绕的各个器件芯片，在该密封工序中，通过具有使该红外线拍摄构件所接受的红外线透过的透过性的密封材料对该晶片的正面进行密封。