[发明专利]用于EUV光刻的掩模版有效
| 申请号： | 201811037758.7 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109491192B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 曾文德;K·V·隆;V·菲利普森;E·奥尔塔米拉诺桑切兹;K·范德斯密森 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会;鲁汶天主教大学 |
| 主分类号： | G03F1/22 | 分类号： | G03F1/22;G03F1/54 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 王颖;江磊 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造极紫外掩模版的方法，其包括：a.提供一种组件，该组件包括：(i)极紫外镜(2)；和(ii)至少覆盖极紫外镜的底部的腔；b.通过在腔中相对于不形成腔的部分的任何表面选择性地形成极紫外吸收结构来使腔被极紫外吸收结构填充。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 euv 光刻 模版 | ||
【主权项】：
1.一种制造极紫外掩模版的方法，其包括：a.提供一种组件，该组件包括：(i)极紫外镜(2)；和(ii)至少覆盖极紫外镜(2)的底部的腔；b.通过在腔中选择性地形成极紫外吸收结构(8)来使腔至少部分地被包含金属材料的极紫外吸收结构(8)填充，所述金属材料包含选自Ni、Co、Sb、Ag、In和Sn的元素。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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