[发明专利]一种拼接式透明导电薄膜电极的制备方法及其制品有效
申请号: | 201811037907.X | 申请日: | 2018-09-06 |
公开(公告)号: | CN109192393B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 刘腾蛟;王珊珊;杨树威;任晓倩;李丽坤;宋飞飞 | 申请(专利权)人: | 江苏天贯碳纳米材料有限公司 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B5/14 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 任立;艾中兰 |
地址: | 212200 江苏省镇*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开一种拼接式透明导电薄膜电极,其特征在于,所述拼接式透明导电薄膜电极从上到下依次设置:薄膜电极层、胶层、基底层;所述薄膜电极层是由若干片透明导电薄膜拼接所形成,相邻透明导电薄膜之间的拼接缝隙宽度小于2mm,拼接缝隙中填充有导电浆料,使得透明导电薄膜之间能够完全达到电导通。本发明在不改变现有导电薄膜的制备工艺的情况下,通过对薄膜电极的拼接,使薄膜面积能够进一步扩大,并且其制备工艺简单,能够实现大规模量产。 | ||
搜索关键词: | 一种 拼接 透明 导电 薄膜 电极 制备 方法 及其 制品 | ||
【主权项】:
1.一种拼接式透明导电薄膜电极,其特征在于,所述拼接式透明导电薄膜电极从上到下依次设置:薄膜电极层、胶层、基底层;所述薄膜电极层是由若干片透明导电薄膜拼接所形成,相邻透明导电薄膜之间的拼接缝隙宽度小于2mm,拼接缝隙中布置有导电浆料,使得透明导电薄膜之间能够完全达到电导通。
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