[发明专利]发光二极管及使用所述发光二极管的背光模组在审
| 申请号： | 201811039410.1 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN108933188A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 查国伟 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L25/075;H01L33/60 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 提供一发光二极管，包括：一基板；一第一半导体层，设置于所述基板上；一发光层，设置于所述第一半导体层的第一部分上；一第二半导体层，设置于所述发光层上；一第一电极，设置于所述第一半导体层的第二部分上，所述第一部分与所述第二部分不重迭；以及一第二电极，设置于所述第二半导体层上；其中所述第一电极的厚度大于所述第二电极的厚度。还提供包含所述发光二极管的背光模组。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 发光二极管 背光模组 第二电极 第一电极 发光层 基板 重迭 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：一基板；一第一半导体层，设置于所述基板上；一发光层，设置于所述第一半导体层的第一部分上；一第二半导体层，设置于所述发光层上；一第一电极，设置于所述第一半导体层的第二部分上，所述第一部分与所述第二部分不重迭；以及一第二电极，设置于所述第二半导体层上；其中所述第一电极的厚度大于所述第二电极的厚度。
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