[发明专利]单面生长石英晶体及其生长方法在审
| 申请号： | 201811039563.6 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109112629A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 刘盛浦;郭兴忠;吴兰 | 申请（专利权）人： | 浙江博达光电有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/18 | 分类号： | C30B29/18;C30B7/10 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 金祺 |
| 地址： | 311305 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单面生长石英晶体的生长方法，令石英晶体只在籽晶片的光轴面生长，同时限制了石英晶体的正电轴方向的生长；本发明通过人为限制石英晶体生长方向，改变高压釜内溶液与石英晶体生长界面的对流状态，使制备获得的单面生长石英晶体具有较大的尺寸、很低的杂质含量以及良好的透过率，其包裹体指标达到国家标准GB/T7895‑2008中的Ⅰa级、条纹指标达到国家标准GB/T7895‑2008中的1级和光学均匀性达到国家标准GB/T7895‑2008中的A级，达到目前国家标准中的顶尖水平。 | ||
| 搜索关键词： | 石英晶体 单面生长 生长 光学均匀性 对流状态 生长方向 包裹体 高压釜 光轴面 透过率 籽晶片 条纹 制备 | ||
【主权项】：
1.单面生长石英晶体的生长方法，首先清洗籽晶片(1)和石英石、配制去离子水及生长液备用、用去离子水清洗高压釜并用隔膜泵抽干；然后在清洗好的高压釜内放入装有石英石的原料筐，注入配置所得生长液和挂有籽晶片(1)的籽晶架(2)，量好液面，将高压釜密封；之后启动控温系统，加热高压釜，进行石英晶体的单面生长，获得单面生长石英晶体；其特征在于：将籽晶片(1)悬挂在籽晶架(2)的方法为：首先于籽晶片(1)的Z方向一边衬垫防粘连箔(4)，并令该方向正对L形遮挡板(3)的横面；还于籽晶片(1)的+X方向衬垫防粘连箔(4)，并令该方向正对L形遮挡板(3)的立面；之后将籽晶片(1)、防粘连箔(4)和L形遮挡板(3)固定后横挂在籽晶架(2)上，并使籽晶片(1)的Z生长方向向下。
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