[发明专利]动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法及其结构有效

申请号：	201811042392.2	申请日：	2018-09-07
公开（公告）号：	CN110707087B	公开（公告）日：	2022-02-22
发明（设计）人：	颜士贵;刘立伟;戎乐天;施泓林;朱玄通;李明哲;刘冠毅;邢怀锦	申请（专利权）人：	联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
主分类号：	H01L27/11521	分类号：	H01L27/11521;H01L27/11568;H01L27/108;H01L21/8242
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陈小雯
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明公开一种动态随机存取存储器和闪存存储器的制作方法及其结构，该闪存存储器包含一基底包含一主动区域和两个电荷存储结构分别位于主动区域的两侧，其中各个电荷存储结构内包含一氧化硅层/氮化硅层/氧化硅层复合材料层，一埋入式栅极埋入于主动区域，其中埋入式栅极仅包含一控制栅极和一栅极介电层，栅极介电层为单一材料，两个源极/漏极掺杂区分别位于埋入式栅极的两侧的主动区域内。
搜索关键词：	动态随机存取存储器闪存存储器制作方法及其结构
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【主权项】：

1.一种闪存存储器，其特征在于，包含：/n基底，包含主动区域和两个电荷存储结构分别位于该主动区域的两侧，其中各该电荷存储结构内包含氧化硅层/氮化硅层/氧化硅层复合材料层；/n埋入式栅极，埋入于该主动区域，其中该埋入式栅极仅包含控制栅极和栅极介电层，该栅极介电层为单一材料；以及/n两个源极/漏极掺杂区，分别位于该埋入式栅极的两侧的该主动区域内。/n

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