[发明专利]绝缘层薄膜表面的导电化处理工艺有效
| 申请号： | 201811049029.3 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN109338363B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 李克贵;陈耀 | 申请（专利权）人： | 深圳科诺桥科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/02 | 分类号： | C23C28/02;C25D5/48;C23C14/14;H05K9/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市大鹏*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种绝缘薄膜表面的导电化处理工艺，包括以下步骤：提供载体膜，在所述载体膜至少一表面制备绝缘层，其中，所述绝缘层的表面电阻为大于5MΩ；采用真空镀的方式对所述绝缘层远离所述载体膜的表面进行预处理，在所述绝缘层表面形成真空金属层；将经预处理的绝缘膜置于碱性电解液中，采用电镀沉淀法在所述真空金属层表面进行至少一次表面沉淀处理，形成金属镀层半成品；将所述金属镀层半成品置于微蚀液中，对其进行表面微蚀处理，形成具有表面多孔结构的金属镀层。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 薄膜 表面 导电 处理 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘薄膜表面的导电化处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：提供载体膜，在所述载体膜至少一表面制备绝缘层，其中，所述绝缘层的表面电阻为大于5MΩ；采用真空镀的方式对所述绝缘层远离所述载体膜的表面进行预处理，在所述绝缘层表面形成真空金属层；将经预处理的绝缘膜置于碱性电解液中，采用电镀沉淀法在所述真空金属层表面进行至少一次表面沉淀处理，形成金属镀层半成品；将所述金属镀层半成品置于微蚀液中，对其进行表面微蚀处理，形成具有表面多孔结构的金属镀层。
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