[发明专利]有源矩阵基板和多路分配电路在审
申请号: | 201811051186.8 | 申请日: | 2018-09-10 |
公开(公告)号: | CN109494229A | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 宫本忠芳;中村好伸 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/417;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;张艳凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 减小形成于有源矩阵基板的多路分配电路的TFT的尺寸。多路分配电路的各单位电路具有:至少n个TFT;以及n个分支配线,其连接到1个视频信号线,各TFT具有:氧化物半导体层;上部栅极电极,其隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层上;以及第1电极和第2电极,还具备:第1层间绝缘层,其覆盖氧化物半导体层和上部栅极电极;以及第2层间绝缘层,其配置在第1层间绝缘层上,第1电极配置在第1层间绝缘层与第2层间绝缘层之间并且在形成于第1层间绝缘层的第1接触孔内与氧化物半导体层接触,第2电极配置在第2层间绝缘层上并且在形成于第1层间绝缘层和第2层间绝缘层的第2接触孔内与氧化物半导体层接触。 | ||
搜索关键词: | 层间绝缘层 氧化物半导体层 多路分配电路 源矩阵基板 电极配置 栅极电极 接触孔 电极 覆盖氧化物 视频信号线 栅极绝缘层 半导体层 单位电路 分支配线 减小 配置 | ||
【主权项】:
1.一种有源矩阵基板,具有:显示区域,其包含多个像素;以及非显示区域,其设置在上述显示区域的周边,具备:基板;多路分配电路,其配置在上述非显示区域,并且支撑于上述基板;以及多个源极总线和多个栅极总线,在上述显示区域中,上述多个源极总线在第1方向上延伸,上述多个栅极总线在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸,上述有源矩阵基板的特征在于,上述多路分配电路具有多个单位电路,上述多个单位电路各自从多个视频信号线中的1个视频信号线向多个源极总线中的n个源极总线分配视频信号,其中,n为2以上的整数,上述多个单位电路各自具有:至少n个TFT;以及n个分支配线,其连接到上述1个视频信号线,上述至少n个TFT各自具有:氧化物半导体层;上部栅极电极,其隔着栅极绝缘层配置在上述氧化物半导体层上;以及第1电极和第2电极,其电连接到上述氧化物半导体层,上述第1电极和上述第2电极中的一方是电连接到上述n个源极总线中的1个源极总线的漏极电极,另一方是电连接到上述n个分支配线中的1个分支配线的源极电极,还具备:第1层间绝缘层,其覆盖上述氧化物半导体层和上述上部栅极电极;以及第2层间绝缘层,其配置在上述第1层间绝缘层上,上述第1电极配置在上述第1层间绝缘层与上述第2层间绝缘层之间,并且在形成于上述第1层间绝缘层的第1接触孔内与上述氧化物半导体层接触,上述第2电极配置在上述第2层间绝缘层上,并且在形成于上述第2层间绝缘层和上述第1层间绝缘层的第2接触孔内与上述氧化物半导体层接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811051186.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的