[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质

摘要

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质。本发明的课题为抑制在沿上下方向装载的衬底上形成的膜的膜厚在衬底之间产生不均。本发明的解决手段为通过一边供给DCS气体一边从喷嘴(249a)向处理室(201)供给N2气体，从而利用N2气体将DCS气体推升至沿上下方向延伸的喷嘴(249a)的上端。此外，通过从下方对处理室(201)内的气体进行排气，从而即使DCS气体被大量供给至在喷嘴(249a)内流动的DCS气体的上游侧即处理室(201)内的下方部，也仍可将其排气。由此，能够在处理室(201)的上下方向上均匀地供给DCS气体，能够使在衬底上形成的膜的膜厚在衬底之间均匀。

主权项

1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：向处理室供给原料气体的工序；停止所述原料气体的供给的工序；将残留于所述处理室的所述原料气体除去的工序；从第二喷嘴向所述处理室供给反应气体的工序；和将残留于所述处理室的所述反应气体除去的工序，其中，在向所述处理室供给所述原料气体的工序中，依次进行下述工序(a)至工序(c)：工序(a)，以第一非活性气体流量从第一喷嘴向所述处理室供给非活性气体，其中，所述第一喷嘴在排列并收容有多个衬底的处理室中沿衬底的排列方向延伸；工序(b)，一边从所述第一喷嘴向所述处理室供给蓄积于贮留部的原料气体，一边以多于所述第一非活性气体流量的第二非活性气体流量从所述第一喷嘴向所述处理室供给所述非活性气体；工序(c)，在从作为所述原料气体的流动的上游侧的一端侧对所述处理室内进行着排气的状态下，以所述第一非活性气体流量从所述第一喷嘴向所述处理室供给所述非活性气体。