[发明专利]基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质在审
| 申请号： | 201811055905.3 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN109494152A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 土屋孝文;石井佑树;益富裕之;藤津成吾 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种对于抑制结晶的产生或去除结晶有效的基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。基板液处理装置具备：处理槽，其收容处理液和基板；气体喷嘴，其在处理槽内的下部喷出气体；气体供给部，其供给气体；气体供给线，其将气体喷嘴和气体供给部连接；减压部，其通过使气体供给线减压来向气体供给线引入处理槽内的处理液；以及控制部，其构成为在处理槽中没有收容基板的空闲期间的一部分期间执行如下的第一控制：控制气体供给部以停止气体的供给，并且控制减压部以向气体供给线引入处理液。 | ||
| 搜索关键词： | 气体供给线 处理槽 基板液处理装置 气体供给部 处理液 基板 存储介质 气体喷嘴 减压部 液处理 供给气体 收容基板 减压 引入 喷出 去除 空闲 收容 | ||
【主权项】：
1.一种基板液处理装置，具备：处理槽，其收容处理液和基板；气体喷嘴，其在所述处理槽内的下部喷出气体；气体供给部，其供给所述气体；气体供给线，其将所述气体喷嘴和所述气体供给部连接；减压部，其通过使所述气体供给线减压来向所述气体供给线引入所述处理槽内的所述处理液；以及控制部，其构成为在所述处理槽中没有收容所述基板的空闲期间的一部分期间执行如下的第一控制：控制所述气体供给部以停止所述气体的供给，并且控制所述减压部以向所述气体供给线引入所述处理液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
