[发明专利]一种检测大马士革结构导电性的方法

摘要

本发明公开一种检测大马士革结构导电性的方法，包括：提供具有器件区域和外围区域的半导体结构，包括衬底，于衬底上依次形成导电层、介电层；步骤S1、于半导体结构的器件区域开设第一深孔，同时于半导体结构的外围区域开设第二深孔，第一深孔与第二深孔均穿过介电层以暴露导电层；步骤S2、于第一深孔的顶部开设第一沟槽，以形成大马士革结构；同时，于半导体结构的外围区域开设独立于第二深孔的第二沟槽；步骤S3、于大马士革结构、第二深孔及第二沟槽内填充金属，并进行平坦化处理；步骤S4、以电子束扫描大马士革结构、第二深孔及第二沟槽，以判断大马士革结构的电性连接情况。有益效果在于：能够准确地判断出大马士革结构的结构缺陷的原因。

主权项

1.一种检测大马士革结构导电性的方法，其特征在于，包括：提供一具有器件区域和外围区域的半导体结构，所述半导体结构包括一衬底，于所述衬底上依次形成一导电层、一介电层；步骤S1、于所述半导体结构的器件区域开设一第一深孔，以及同时于所述半导体结构的外围区域开设一第二深孔，所述第一深孔与所述第二深孔均穿过所述介电层以暴露所述导电层；步骤S2、于所述第一深孔的顶部开设一第一沟槽，以形成所述大马士革结构；同时，于所述半导体结构的外围区域开设一独立于所述第二深孔的第二沟槽；步骤S3、于所述大马士革结构、所述第二深孔及所述第二沟槽内填充金属，并进行平坦化处理；步骤S4、以电子束扫描所述大马士革结构、所述第二深孔及所述第二沟槽，以判断所述大马士革结构的电性连接情况。